廢氣處（chù）理設備的種類（lèi）

廢（fèi）氣處理設備的種類分為吸收設備（bèi）、吸（xī）附設（shè）備、催化燃燒設備、等離子治理設備（bèi）。下（xià）麵（miàn）源和小（xiǎo）編（biān）針對廢氣處（chù）理設備的種類（lèi）為大家一（yī）一介紹。

吸收設備（bèi）

吸收（shōu）法采用低揮發或不（bú）揮發性溶劑對VOCs進行吸收，再利用VOCs和吸（xī）收劑物理性質的差異進行分（fèn）離。

含VOCs的氣體自吸收（shōu）塔底部進入塔內，在上升過程中與來自塔頂的吸收劑逆流接觸，淨化後的氣體由塔頂（dǐng）排出。吸收了VOCs的吸收劑通（tōng）過熱交換器後，進入汽提塔頂部，在溫度高（gāo）於吸收溫度或（huò）壓力低於吸收壓（yā）力的條件下解吸（xī）。解吸（xī）後的吸收劑經過溶劑冷凝器冷凝後回到吸收塔。解吸（xī）出的VOCs氣體經過冷凝器、氣液分離器後（hòu）以較純的VOCs氣體離開汽提塔，被回收利用（yòng）。該工藝適合於VOCs濃度較高、溫度較低的氣體淨化，其他情況下（xià）需要作相應的（de）工藝調（diào）整。

吸附設備

在用多孔性固體物（wù）質處（chù）理流體混（hún）合物時，流體中（zhōng）的某一組分或某些組（zǔ）分可被吸表麵並濃集其上，此現象稱為吸附。吸（xī）附處理（lǐ）廢氣時，吸附的對象是（shì）氣態汙染物，氣固吸附。被吸附的氣體組分稱為吸附質，多（duō）孔固體物質稱（chēng）為吸附劑。

固體（tǐ）表麵吸（xī）附了吸附質（zhì）後，一部（bù）被吸附的吸附質可從吸附劑表麵脫離，此現附。而當吸附進行一段時間後，由於表麵吸（xī）附質的濃集，使其吸附能力明顯下降而吸（xī）附（fù）淨化的要求，此時需要采用一定的措施（shī）使吸附劑上已吸附的吸附質脫附，以協的吸附能力，這個過程（chéng）稱為吸附劑的再生。因此在實際吸附工（gōng）程中，正（zhèng）是利用吸附一再生一再吸附的循環過程，達到（dào）除（chú）去廢氣中汙染物（wù）質（zhì）並回收廢氣中有用組分。

催化燃燒設（shè）備

燃燒法用於處理高濃度（dù）Voc與有惡臭的化合物很有效，其原理是用（yòng）過量的空氣使這些雜質燃（rán）燒，大多數生成二氧化碳和水蒸氣，可以排放到大氣中。但當處理含氯和含硫的有機化（huà）合物時，燃燒生成產物中（zhōng）HCl或SO2，需要對燃燒後（hòu）氣體進一步處理。

等離子治理（lǐ）設備

等離子體就是（shì）處於電離狀態（tài）的氣體，其英文名稱是plasma，它是由美國科學 muir，於1927年在研究低（dī）氣壓下汞（gǒng）蒸氣（qì）中放電現象時命名的。等離子體由大量的子、中性原子、激發態原子、光子和自由基等組（zǔ）成（chéng），但電子和正離子的電荷數必須（xū）體表（biǎo）現出電中性，這（zhè）就是“等（děng）離子（zǐ）體”的含義。等離子體具有導電（diàn）和受（shòu）電磁影響的許多方麵與固體、液體（tǐ）和氣體（tǐ）不同，因（yīn）此又有人把它稱為物質的第四種狀態（tài）。根據狀（zhuàng）態、溫（wēn）度和離子密度，等離子體通常可以分為高溫等離子體和低溫等離子（zǐ）體（包子體和冷（lěng）等離子體）。其中高溫等離子體的電離度接近（jìn）1，各種粒子溫度幾乎相同係處於熱（rè）力（lì）學平衡狀態，它（tā）主要應用在受控熱核反應研究方麵。而低溫等離子體則學非平（píng）衡狀態，各種粒子溫度並不相同。其中電子（zǐ）溫度( Te)≥離子溫度(Ti)，可達104K以上，而其離子和中性粒子（zǐ）的溫度卻可低到300～500K。一般氣（qì）體放電（diàn）子體屬於低（dī）溫等離子（zǐ）體。

截至2013年，對（duì）低（dī）溫等離子體的作用機理研究認為是粒子非彈性（xìng）碰撞（zhuàng）的結果（guǒ）。低溫等離（lí）富含電子、離子、自由基和激發態分子，其中高能電子與（yǔ）氣體分子（原子）發生撞，將能量轉換成基態分子（原子（zǐ））的內（nèi）能，發生激發、離解和電離等一係列過秸處於活化（huà）狀態。一方麵打（dǎ）開了氣體分子鍵，生成一些單分子和固體微粒；另一力生．OH、H2O2．等自由基和氧化性（xìng）極強的O3，在這一過（guò）程中高能電子起（qǐ）決定性作用，離子的（de）熱運動隻（zhī）有副作用。常壓下，氣體放電產生的高度非平衡等離子體中電子（zǐ）溫層氏（shì）度）遠高於氣體溫度（室溫100℃左右）。在非平衡（héng）等離子體中可能（néng）發生各種類型的化學反應，主要決定於電子的平均能（néng）量（liàng）、電子密度、氣體溫度、有害氣體分子濃度（dù）和≥氣體成分。這為一些需要很大活化能（néng）的反應如大氣中難降解汙染物的去（qù）除提供了另外也可以對低濃度、高流速、大風量的含揮發（fā）性有機汙（wū）染物和含硫類汙染物等進行處（chù）理。

常見的產生等離子體的方法是氣（qì）體放電，所謂氣體放（fàng）電是指通（tōng）過某種機製使一電子從氣體原子或（huò）分子中電離出來，形成的氣體媒質稱為電離氣體，如果電離氣由外電場產生並形成傳導電（diàn）流，這種現象稱為氣體放電。根（gēn）據放電產生的機理、氣體的壓j源（yuán）性質以及電極的（de）幾何形狀、氣（qì）體放（fàng）電等離子體主要分為以下幾種形式：①輝光放電；③介質阻擋放電；④射（shè）頻放電；⑤微（wēi）波放電。無論哪一種形式產生的等（děng）離子體，都需要高壓放電（diàn）。容易打火（huǒ）產生危險。由於對諸如氣態汙染物的治理，一般要求在常壓下進行（háng）。

光催化和（hé）生物淨化（huà）設（shè）備

光催化（huà）是常溫深度反應技術。光催化氧化可在室溫下將水、空氣（qì）和土壤中有機汙染物完全氧化成無毒無害的產物，而傳統的高溫焚燒（shāo）技術則需要在極高的溫度下（xià）才可將汙染物摧毀，即使用常規的催化、氧化方法亦需（xū）要幾百度的高溫。

從理論上講（jiǎng），隻要半導（dǎo）體吸收的光能不小於其帶隙能，就足以激發產生電子和空穴，該（gāi）半導體就有可能用作光（guāng）催化劑。常見的單（dān）一（yī）化合物光催化劑多為金（jīn）屬氧化物或硫化物，如 Ti0。、Zn0、ZnS、CdS及PbS等。這些（xiē）催化劑各自對特定反應（yīng）有突出（chū）優點，具體研究（jiū）中可根據需（xū）要選（xuǎn）用，如CdS半（bàn）導體帶隙能較（jiào）小，跟太陽光譜中的近紫外光段有較好的匹配性能，可（kě）以很好地利用自然光能，但它容（róng）易發生光腐蝕，使用壽（shòu）命有限（xiàn）。相對而言，Ti02的綜合性（xìng）能較好，是最廣泛使用和研究的單一化合物光催（cuī）化劑。

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